国家知识产权局信息显示，亿而得微电子股份有限公司申请一项名为“只读存储器阵列及其只读存储器”的专利，公开号CN121281589A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种只读存储器阵列及其只读存储器，涉及存储器领域，只读存储器阵列包括多条共源线、多条字符位元线与多个子存储器阵列，共源线垂直交会字符位元线。共源线包括第一共源线与第二共源线，字符位元线包括第一字符位元线与第二字符位元线。每一子存储器阵列耦接两条共源线与两条字符位元线。每一子存储器阵列包括四个记忆晶胞。每一记忆晶胞的控制端耦接其对应字符位元线，资料端耦接其对应的共源线及字符位元线。只读存储器包括场效晶体管与电容器。场效晶体管与电容器设于半导体区域中，并共同包括一掺杂井区，掺杂井区重叠共源线，并耦接共源线。本发明提高了存储器的可靠度、寿命、性能与抗干扰能力。
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